本發(fā)明涉及半導(dǎo)體沉積,特別是一種碳化硅外延生長(zhǎng)方法及設(shè)備。、在碳化硅外延廠生產(chǎn)中,使用cvd設(shè)備進(jìn)行外延生長(zhǎng),設(shè)備運(yùn)行過(guò)程中遇到機(jī)臺(tái)故障或者外界因素導(dǎo)致的宕機(jī),此時(shí)機(jī)臺(tái)會(huì)自動(dòng)降溫?cái)嘣礆獾葘⑼庋由L(zhǎng)中斷。此時(shí)已經(jīng)生長(zhǎng)的外延部分因?yàn)樯L(zhǎng)環(huán)境的突變往往出現(xiàn)表面缺陷多或濃厚度異常,表面結(jié)晶質(zhì)量變差...